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Disque dur Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD 1TB (MZ-V9S1T0BW)

MZ-V9S1T0BW

Produit neuf

Capacité : 1 To
Format : M.2 2280
Interface : PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Mémoire : V-NAND TLC
Contrôleur : Samsung interne
Cache : HMB
Vit. lecture/écriture : 7 150 / 6 300 Mo/s
Chiffrement : AES 256-bit

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disque dur samsung 990 evo plus nvme™ m.2 ssd 1tb (mz-v9s1t0bw)

Fiche Technique

Capacité1 000 GB (1TB)
InterfacePCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Facteur de formeM.2 (2280)
Dimensions (L x H x P)Max 80.15 x 22.15 x 2.38 mm
PoidsMax 9.0 g
Mémoire de stockageSamsung V-NAND TLC
ContrôleurSamsung in-house Controller
Mémoire cacheHMB (Host Memory Buffer)
Lecture séquentielleJusqu’à 7 150 MB/s (peut varier selon le matériel et la configuration)
Écriture séquentielleJusqu’à 6 300 MB/s (peut varier selon le matériel et la configuration)
Lecture aléatoire (4K, QD32)Jusqu’à 1 350 000 IOPS (peut varier selon le matériel et la configuration)
Écriture aléatoire (4K, QD32)Jusqu’à 850 000 IOPS (peut varier selon le matériel et la configuration)
TRIMPris en charge
S.M.A.R.TPris en charge
Garbage CollectionAlgorithme automatique
Cryptage du disqueAES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
WWNNon pris en charge
Mode veilleOui
Conso. moyenne lecture/écritureLecture : 4.3 W / Écriture : 4.2 W (valeurs moyennes, variables selon configuration)
Conso. en veilleTypique : 60 mW
Conso. en sommeilTypique : 5 mW
Tension admissible3.3 V ± 5 %
Fiabilité (MTBF)1,5 million d’heures
Température de fonctionnement0 - 70 °C
Chocs1 500 G / 0,5 ms (onde sinusoïdale demi-cycle)
Garantie5 ans limitée ou 600 TBW

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Disque dur Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD 1TB (MZ-V9S1T0BW)

Disque dur Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD 1TB (MZ-V9S1T0BW)

Capacité : 1 To
Format : M.2 2280
Interface : PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Mémoire : V-NAND TLC
Contrôleur : Samsung interne
Cache : HMB
Vit. lecture/écriture : 7 150 / 6 300 Mo/s
Chiffrement : AES 256-bit

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