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MZ-V8V500BW
Produit neuf
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Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
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Capacité | 500 Go |
Interface | PCIe 3.0 x4 (NVMe) |
Caractéristiques | Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), NVM Express (NVMe) 1.4, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Pablo Controller, Intelligent TurboWrite Technology, contrôle thermique de pointe, S.M.A.R.T. |
Poids | 8 g |
Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
Cryptage matériel | Oui |
01 | M.2 2280 |
Débit de transfert interne | 3100 Mo/s (lecture) / 2600 Mo/s (écriture) |
Ecriture aléatoire 4 Ko maximum | 470000 IOPS |
Lecture aléatoire 4 Ko | 17000 IOPS |
Interfaces | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
Baie compatible | M.2 2280 |
Consommation électrique | 4.3 Watt (moyenne) 5.9 Watt (maximum) 0.045 Watt (inactif) |